离子束刻蚀（IBE，Ion Beam Etching）也称为离子铣（IBM，Ion Beam Milling），也有人称之为离子溅射刻蚀，是运用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子通过阳极电场的加快对样品标明上进行物理炮击，以到达刻蚀的效果。刻蚀进程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离构成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加快，具有必定能量的离子束进入工作室，射向固体外表炮击固体外表原子，使资料原子产生溅射，到达刻蚀意图，属纯物理刻蚀。工件外表有制备沟槽的掩膜，终究的部分就会被刻蚀掉，而掩膜部分则被保存，构成所需求的沟槽图形。
离子束刻蚀使高方向性的中性离子束能够操控侧壁概括，优化纳米图画化进程中的径向均匀性和结构描摹。别的歪斜结构能够终究靠歪斜样品以改动离子束的碰击方向这一共同才能来完成。
在离子束刻蚀进程中，一般情况下，样品外表选用厚胶作为掩模层，刻蚀期间赋有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。为便于后边光刻胶的剥离清洗，一般要对样品台进行冷却处理，使整个刻蚀进程中温度操控在一个比较好的规模。
可用于刻蚀加工各种金属（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等资料。
现在离子束刻蚀在非硅资料方面优势明显，在声外表波、薄膜压力传感器、红外传感器等方面具有广泛的用处。
（3）归于物理刻蚀，能够刻蚀许多资料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻胶等）；
反响离子束刻蚀（RIBE）是在离子束刻蚀的基础上，增加了腐蚀性气体，因而它不光保存了离子束物理刻蚀才能，还增加了腐蚀性气体（氟基气体、O2）离化后对样品的化学反响才能（反响离子束刻蚀：RIBE），也支撑腐蚀性气体非离化态的化学辅佐刻蚀才能（化学辅佐离子束刻蚀：CAIBE），对适用于化学辅佐的资料能够大幅度进步刻蚀速率，进步刻蚀质量。
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